Podendo ser até 100 vezes mais rápidas que as atuas tecnologias flash e ainda mias econômicas,
a nova tecnologia de memoria ram a 'ReRAM' (Resistive RAM), podem chegar cedo ao mercado.
As ReRAM possuem é um elemento chamado memristor “memory resistor” e, de fato, o componente se comporta como se fosse um resistor com memória.
Um componente extremamente pequeno (na casa dos nanômetros) que combina dois terminais; quando uma corrente flui entre eles, a sua resistência aumenta; quando o caminho contrário é feito, a resistência diminui. A “mágica” aqui é que, quando a corrente é cortada, o último nível de resistência registrado é mantido.
Em outras palavras, chips constituídos de memristors são não voláteis, ou seja, podem guardar informação mesmo na ausência de corrente elétrica. Na prática, trata-se de uma tecnologia que se assemelha ao uso de transistores nas memórias Flash, com a diferença de as células de memória ReRAM poderem ser muito menores, consumir muito menos energia elétrica e ter desempenho para leitura e escrita de dados próximos aos de módulos DRAM.
O memristor não é uma maravilha recente da ciência – seus estudos iniciais remetem à década de 1970. O problema é que não há, até o momento, tecnologia que permita a fabricação em larga escala de dispositivos com o material, não de maneira viável. Felizmente, este cenário não demorará a mudar: a previsão é de que as primeira unidades de armazenamento ReRAM comecem a chegar ao mercado a partir de 2017.
Mas a tecnologia em si dará as caras muito em breve. Neste mês, a Panasonic começará a produzir microprocessadores da série MN101LR (fabricação estimada em um milhão de unidades por mês), que são baseados – adivinhe só! – em ReRAM. Pois esta é outra característica chamativa dos memristors: além de armazenamento de dados, este tipo de componente também pode ser empregado em chips que realizam operações lógicas.
Fontes: Tecnoblog.
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